Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB против Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB

-->

Средняя оценка

Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB

Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB

Средняя оценка

Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB

Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB

Причины выбрать
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB

Сообщить об ошибке

Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB

Причины выбрать
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

32 65

Около -103% меньшая задержка
Выше скорость чтения

15.2 6.1

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

8.9 4.2

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 8500

Около 2.51 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB

Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

65 32
Скорость чтения, Гб/сек

6.1 15.2
Скорость записи, Гб/сек

4.2 8.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек

8500 21300

Other

Описание

PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1066 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

985 2430

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB

Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB

модули RAM

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB

модули RAM

Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB

Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB

Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB

Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB

модули RAM

Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB

AMD R538G1601S2LS 8GB

AMD R538G1601S2LS 8GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB

Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB

Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB

модули RAM

Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB

Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB

Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB

модули RAM

Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB

Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB

A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB

A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DDR2 800G 2GB

A-DATA Technology DDR2 800G 2GB

Kingston 9905734-059.A00G 16GB

Kingston 9905734-059.A00G 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB

SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB

модули RAM

Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston KVR533D2N4 512MB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N

модули RAM

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB

Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB

Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB

модули RAM

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB

модули RAM