Elpida EBJ21UE8BBS0-AE-F 2GB против Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB

-->

Средняя оценка

Elpida EBJ21UE8BBS0-AE-F 2GB

Elpida EBJ21UE8BBS0-AE-F 2GB

Средняя оценка

Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB

Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Elpida EBJ21UE8BBS0-AE-F 2GB

Причины выбрать
Elpida EBJ21UE8BBS0-AE-F 2GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

28 38

Около 26% меньшая задержка

Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB

Причины выбрать
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

14.2 8.8

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

10.6 7.0

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 8500

Около 2 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Elpida EBJ21UE8BBS0-AE-F 2GB

Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

28 38
Скорость чтения, Гб/сек

8.8 14.2
Скорость записи, Гб/сек

7.0 10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек

8500 17000

Other

Описание

PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1066 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1397 2807

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB

A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB

модули RAM

Kingston 9905471-001.A01LF 2GB

Kingston 9905471-001.A01LF 2GB

Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB

Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB

модули RAM

Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB

модули RAM

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Kingston 9905633-017.A00G 8GB

Kingston 9905633-017.A00G 8GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB

модули RAM

Elpida EBJ21UE8BBS0-AE-F 2GB

Elpida EBJ21UE8BBS0-AE-F 2GB

Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB

Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB

модули RAM

Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB

Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB

Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB

Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB

Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB

модули RAM

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB

Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB

модули RAM

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB

Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB

модули RAM

Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB

Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB

Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB

Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB

модули RAM

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB

Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB

модули RAM

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB

G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB

модули RAM

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB

Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266

модули RAM