Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB против G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB

-->

Средняя оценка

Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB

Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB

G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB

Причины выбрать
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

25 29

Около 14% меньшая задержка

G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

18.3 13.8

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

13.8 8.2

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 10600

Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB

G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

25 29
Скорость чтения, Гб/сек

13.8 18.3
Скорость записи, Гб/сек

8.2 13.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 17000

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2152 3336

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C

Kingston 9905678-028.A00G 8GB

Kingston 9905678-028.A00G 8GB

модули RAM

Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB

Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB

G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB

G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB

модули RAM

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB

Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB

модули RAM

Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB

Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB

G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB

G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB

модули RAM

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB

SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB

модули RAM

AMD R5S38G1601U2S 8GB

AMD R5S38G1601U2S 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB

модули RAM

Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB

Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB

Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB

Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB

модули RAM

Kingston HX318C10FK/4 4GB

Kingston HX318C10FK/4 4GB

Kingston 99U5734-014.A00G 16GB

Kingston 99U5734-014.A00G 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB

Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1

модули RAM

AMD R534G1601U1S-UO 4GB

AMD R534G1601U1S-UO 4GB

G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB

G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB

модули RAM

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB

Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB

Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB

Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB

модули RAM

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB

Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB

модули RAM

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB

Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB

модули RAM