Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB против Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB

-->

Средняя оценка

Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB

Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB

Средняя оценка

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB

Причины выбрать
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB

Сообщить об ошибке

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB

Причины выбрать
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

22 25

Около -14% меньшая задержка
Выше скорость чтения

18.2 13.8

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

13.5 8.2

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 10600

Около 2.01 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

25 22
Скорость чтения, Гб/сек

13.8 18.2
Скорость записи, Гб/сек

8.2 13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 21300

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2152 3201

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB

Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB

Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB

модули RAM

Avant Technology F6451U64F9333G 4GB

Avant Technology F6451U64F9333G 4GB

Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB

Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB

модули RAM

Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB

Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB

Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB

Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB

модули RAM

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB

G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB

модули RAM

G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB

G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB

Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB

Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB

модули RAM

Kingston 9965433-034.A00LF 4GB

Kingston 9965433-034.A00LF 4GB

Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB

Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB

модули RAM

Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB

Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB

Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB

Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB

модули RAM

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Kingston 9965600-018.A00G 16GB

Kingston 9965600-018.A00G 16GB

модули RAM

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB

Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB

Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB

модули RAM

SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB

Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB

Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB

Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB

модули RAM