RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
UMAX Technology 16GB
Сравнить
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB против UMAX Technology 16GB
-->
Средняя оценка
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Средняя оценка
UMAX Technology 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
69
Около 64% меньшая задержка
Причины выбрать
UMAX Technology 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.5
13.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.3
8.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
UMAX Technology 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
69
Скорость чтения, Гб/сек
13.8
14.5
Скорость записи, Гб/сек
8.2
8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2152
1926
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB Сравнения RAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
UMAX Technology 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link