Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB против Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB

-->

Средняя оценка

Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB

Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB

Средняя оценка

Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB

Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB

Причины выбрать
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB

Сообщить об ошибке

Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB

Причины выбрать
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

14.7 13.9

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

9.7 9.6

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 14200

Около 1.2 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB

Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

26 26
Скорость чтения, Гб/сек

13.9 14.7
Скорость записи, Гб/сек

9.6 9.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек

14200 17000

Other

Описание

PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
Тайминги / частота

no data 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2558 2455

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB

Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB

Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB

Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB

модули RAM

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB

Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB

модули RAM

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Kingston 9905712-010.A00G 16GB

Kingston 9905712-010.A00G 16GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB

Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB

модули RAM

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB

A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB

модули RAM

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB

G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB

модули RAM

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB

Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB

модули RAM

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB

Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB

G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB

G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB

модули RAM

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB

Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB

модули RAM

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB

Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB

модули RAM

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB

Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB

модули RAM