RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Сравнить
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB против Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
-->
Средняя оценка
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Средняя оценка
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
52
Около 50% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.9
10
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.6
7.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
14200
Около 1.35 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
52
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
10.0
Скорость записи, Гб/сек
9.6
7.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
14200
19200
Other
Описание
PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2558
2169
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB Сравнения RAM
Corsair CML4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CML4GX3M2A1600C9 2GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
Elpida EBJ41UF8BCF0-DJ-F 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link