Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB

Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB

Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB

Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    26 left arrow 28
    Около 7% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    14.3 left arrow 13.9
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    11.4 left arrow 9.6
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    17000 left arrow 14200
    Около 1.2 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    26 left arrow 28
  • Скорость чтения, Гб/сек
    13.9 left arrow 14.3
  • Скорость записи, Гб/сек
    9.6 left arrow 11.4
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    14200 left arrow 17000
Other
  • Описание
    PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Тайминги / частота
    no data left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2558 left arrow 2481
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения