RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Сравнить
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
-->
Средняя оценка
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
26
Около -8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.8
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
14200
Около 1.35 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
24
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
16.0
Скорость записи, Гб/сек
9.6
10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
14200
19200
Other
Описание
PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2558
2731
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB Сравнения RAM
Corsair CML4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CML4GX3M2A1600C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Corsair CM3X4GSD1066 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link