Elpida EBJ41UF8BCF0-DJ-F 4GB против Ramaxel Technology RMT3170EF68F9W1600 4GB

-->

Средняя оценка

Elpida EBJ41UF8BCF0-DJ-F 4GB

Elpida EBJ41UF8BCF0-DJ-F 4GB

Средняя оценка

Ramaxel Technology RMT3170EF68F9W1600 4GB

Ramaxel Technology RMT3170EF68F9W1600 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Elpida EBJ41UF8BCF0-DJ-F 4GB

Причины выбрать
Elpida EBJ41UF8BCF0-DJ-F 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

29 40

Около 28% меньшая задержка
Выше скорость чтения

11.1 10.8

Среднее значение в тестах

Ramaxel Technology RMT3170EF68F9W1600 4GB

Причины выбрать
Ramaxel Technology RMT3170EF68F9W1600 4GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость записи

6.4 6.2

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

12800 10600

Около 1.21 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Elpida EBJ41UF8BCF0-DJ-F 4GB

Ramaxel Technology RMT3170EF68F9W1600 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR3
Задержка в PassMark, нс

29 40
Скорость чтения, Гб/сек

11.1 10.8
Скорость записи, Гб/сек

6.2 6.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 12800

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 9-9-9-24 / 1600 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1800 1668

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB

Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB

Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB

Kingston 9965640-013.A01G 32GB

Kingston 9965640-013.A01G 32GB

модули RAM

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB

Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB

Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB

модули RAM

Kingston 9965433-034.A00LF 4GB

Kingston 9965433-034.A00LF 4GB

SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB

SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB

модули RAM

Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB

Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB

Kingston 9905678-173.A00G 8GB

Kingston 9905678-173.A00G 8GB

модули RAM

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB

модули RAM

Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB

Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB

Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9P1 8GB

Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9P1 8GB

модули RAM

Kingston 9905471-001.A01LF 2GB

Kingston 9905471-001.A01LF 2GB

Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB

Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB

модули RAM

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB

GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB

модули RAM

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Maxsun MSD44G24Q3 4GB

Maxsun MSD44G24Q3 4GB

модули RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Kingston 9905702-007.A00G 8GB

Kingston 9905702-007.A00G 8GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB

Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB

модули RAM