Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB против Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB

-->

Средняя оценка

Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB

Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB

Средняя оценка

Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB

Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB

Причины выбрать
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

24 48

Около 50% меньшая задержка
Выше скорость записи

9.4 8.3

Среднее значение в тестах

Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB

Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

17.5 14.4

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

25600 12800

Около 2 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB

Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

24 48
Скорость чтения, Гб/сек

14.4 17.5
Скорость записи, Гб/сек

9.4 8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 25600

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2267 2196

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB

Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB

модули RAM

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB

Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB

модули RAM

Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB

Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB

Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB

Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB

модули RAM

AMD R538G1601U2S-UO 8GB

AMD R538G1601U2S-UO 8GB

Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB

Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB

модули RAM

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB

G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB

модули RAM

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB

модули RAM

Kingston 9905584-016.A00LF 4GB

Kingston 9905584-016.A00LF 4GB

Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB

Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB

SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB

модули RAM

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB

Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB

модули RAM

Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB

Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB

G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB

G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB

модули RAM

Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB

G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB

G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-447.A00LF 4GB

Kingston 9905403-447.A00LF 4GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB

модули RAM

Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB

Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB

Kingston 9905625-062.A00G 8GB

Kingston 9905625-062.A00G 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB

SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB

модули RAM