Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB против G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB

-->

Средняя оценка

Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB

Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB

G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB

Причины выбрать
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB

Сообщить об ошибке

G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

20 44

Около -120% меньшая задержка
Выше скорость чтения

19.2 13.2

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

15.3 9.1

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 12800

Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB

G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

44 20
Скорость чтения, Гб/сек

13.2 19.2
Скорость записи, Гб/сек

9.1 15.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 17000

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2302 3429

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston 99U5713-001.A00G 4GB

Kingston 99U5713-001.A00G 4GB

модули RAM

Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB

Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB

G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB

G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB

модули RAM

Kingston 9905469-143.A00LF 4GB

Kingston 9905469-143.A00LF 4GB

Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB

Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB

G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB

G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB

SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB

модули RAM

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB

Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB

модули RAM

Avant Technology F6451U64F9333G 4GB

Avant Technology F6451U64F9333G 4GB

Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB

Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB

модули RAM

Mushkin 991679ES 996679ES 2GB

Mushkin 991679ES 996679ES 2GB

Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB

Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB

модули RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB

Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB

модули RAM

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB

модули RAM

Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB

A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB

A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

модули RAM

Kingston K1N7HK-ELC 2GB

Kingston K1N7HK-ELC 2GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB

модули RAM