RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Сравнить
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB против V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
-->
Средняя оценка
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Средняя оценка
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
9.1
8.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
44
Около -33% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15
13.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
33
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
15.0
Скорость записи, Гб/сек
9.1
8.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2302
2524
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB Сравнения RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Elpida EBJ81UG8EFU0-GNL-F 8GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB Сравнения RAM
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
A-DATA Technology AM1L16BC4R1-B1MS 4GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link