Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB против Kingston 99U5700-010.A00G 8GB

-->

Средняя оценка

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

Средняя оценка

Kingston 99U5700-010.A00G 8GB

Kingston 99U5700-010.A00G 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

Причины выбрать
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

18 47

Около 62% меньшая задержка
Выше скорость чтения

20.5 14.2

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

16.4 12.3

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 19200

Около 1.11% выше полоса пропускания

Kingston 99U5700-010.A00G 8GB

Причины выбрать
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB

Сообщить об ошибке

Спецификации

Полный список технических характеристик

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

Kingston 99U5700-010.A00G 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR4 DDR4
Задержка в PassMark, нс

18 47
Скорость чтения, Гб/сек

20.5 14.2
Скорость записи, Гб/сек

16.4 12.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек

21300 19200

Other

Описание

PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

3530 2576

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N

модули RAM

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB

модули RAM

Kingston 9965516-430.A00G 16GB

Kingston 9965516-430.A00G 16GB

G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB

G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB

модули RAM

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB

SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Kingston 9905678-006.A00G 4GB

Kingston 9905678-006.A00G 4GB

модули RAM

SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB

SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB

модули RAM

Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB

Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB

Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB

Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB

V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DDR3 1600 4GB

A-DATA Technology DDR3 1600 4GB

Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB

Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB

модули RAM

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB

Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB

модули RAM

Peak Electronics 256X64M-67E 2GB

Peak Electronics 256X64M-67E 2GB

InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB

InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB

модули RAM

Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB

Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB

A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB

A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB

модули RAM

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB

Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB

модули RAM

Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB

Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB

V-GEN D4H4GS24A8 4GB

V-GEN D4H4GS24A8 4GB

модули RAM