RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Сравнить
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB против Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
-->
Средняя оценка
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Средняя оценка
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
35
Около 49% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.5
15
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.4
11.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
18
35
Скорость чтения, Гб/сек
20.5
15.0
Скорость записи, Гб/сек
16.4
11.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
21300
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3530
2609
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link