Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB против Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB

-->

Средняя оценка

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

Средняя оценка

Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB

Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

Причины выбрать
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

18 23

Около 22% меньшая задержка
Выше скорость чтения

20.5 16.6

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

16.4 10.9

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 19200

Около 1.11% выше полоса пропускания

Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB

Причины выбрать
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB

Сообщить об ошибке

Спецификации

Полный список технических характеристик

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR4 DDR4
Задержка в PassMark, нс

18 23
Скорость чтения, Гб/сек

20.5 16.6
Скорость записи, Гб/сек

16.4 10.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек

21300 19200

Other

Описание

PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

3530 2848

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB

V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB

Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB

модули RAM

Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB

Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB

Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB

Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB

модули RAM

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB

Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB

модули RAM

Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB

Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB

Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB

Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB

модули RAM

Kingston HX318C10FK/4 4GB

Kingston HX318C10FK/4 4GB

Kingston 9965669-018.A00G 16GB

Kingston 9965669-018.A00G 16GB

модули RAM

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB

G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB

модули RAM

Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB

Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB

Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB

Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB

модули RAM

Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB

Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB

модули RAM

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB

G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB

модули RAM

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB

G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB

модули RAM

Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB

Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB

Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB

Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB

модули RAM