RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Сравнить
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB против Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
-->
Средняя оценка
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
31
Около 42% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.5
14.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.4
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
17000
Около 1.25% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
18
31
Скорость чтения, Гб/сек
20.5
14.1
Скорость записи, Гб/сек
16.4
9.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
17000
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3530
2640
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link