RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Сравнить
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB против G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
-->
Средняя оценка
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
33
Около -50% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.7
14.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.4
9.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
22
Скорость чтения, Гб/сек
14.3
16.7
Скорость записи, Гб/сек
9.1
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2667
3188
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB Сравнения RAM
Samsung M378B1G73BH0-CK0 8GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link