RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Сравнить
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB против G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
52
Около -49% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.2
1,479.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
52
35
Скорость чтения, Гб/сек
4,226.4
16.0
Скорость записи, Гб/сек
1,479.2
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
590
3112
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB Сравнения RAM
G Skill Intl F2-5300PHU1-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link