RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Сравнить
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB против G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
18.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
52
Около -148% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.1
1,479.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
52
21
Скорость чтения, Гб/сек
4,226.4
18.7
Скорость записи, Гб/сек
1,479.2
14.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
590
3380
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB Сравнения RAM
G Skill Intl F2-5300PHU1-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link