RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Сравнить
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB против SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Средняя оценка
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
52
85
Около 39% меньшая задержка
Выше скорость чтения
4
15.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.1
1,479.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
52
85
Скорость чтения, Гб/сек
4,226.4
15.1
Скорость записи, Гб/сек
1,479.2
8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
590
1772
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB Сравнения RAM
G Skill Intl F2-5300PHU1-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link