RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Сравнить
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB против Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Средняя оценка
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
6
14.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
45
Около -96% меньшая задержка
Выше скорость записи
7.3
2,935.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
23
Скорость чтения, Гб/сек
6,336.8
14.4
Скорость записи, Гб/сек
2,935.8
7.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1144
2236
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Сравнения RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905624-043.A00G 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905701-143.A00G 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link