RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Сравнить
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB против Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
6
19.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,935.8
15.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
45
Около -61% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
28
Скорость чтения, Гб/сек
6,336.8
19.2
Скорость записи, Гб/сек
2,935.8
15.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1144
3698
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Сравнения RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link