RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Сравнить
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB против Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
6
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,935.8
11.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
45
Около -88% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
24
Скорость чтения, Гб/сек
6,336.8
15.5
Скорость записи, Гб/сек
2,935.8
11.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1144
2445
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Сравнения RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston 9905663-030.A00G 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link