G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB против G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB

-->

Средняя оценка

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB

G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

Причины выбрать
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

6 11.1

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

2,935.8 13.5

Среднее значение в тестах

G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

32 45

Около -41% меньшая задержка
Выше пропускная способность

19200 6400

Около 3 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

45 32
Скорость чтения, Гб/сек

6,336.8 11.1
Скорость записи, Гб/сек

2,935.8 13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 19200

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1144 2855

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB

Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N

модули RAM

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB

Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB

модули RAM

Corsair VSA2GSDS667C4 2GB

Corsair VSA2GSDS667C4 2GB

Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB

Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB

G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB

модули RAM

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB

Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB

модули RAM

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB

Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Kingston 9965640-016.A00G 32GB

Kingston 9965640-016.A00G 32GB

модули RAM

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Micron Technology ILG8GS2400A 8GB

Micron Technology ILG8GS2400A 8GB

модули RAM

AMD R5316G1609U2K 8GB

AMD R5316G1609U2K 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB

Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB

модули RAM

Kingston 9905471-076.A00LF 8GB

Kingston 9905471-076.A00LF 8GB

G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB

G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB

модули RAM

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB

модули RAM