G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB против G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB

-->

Средняя оценка

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB

G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

Причины выбрать
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

6 18.9

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

2,935.8 13.9

Среднее значение в тестах

G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

26 45

Около -73% меньшая задержка
Выше пропускная способность

17000 6400

Около 2.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

45 26
Скорость чтения, Гб/сек

6,336.8 18.9
Скорость записи, Гб/сек

2,935.8 13.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 17000

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1144 3437

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB

Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB

Kingston 9905624-014.A00G 4GB

Kingston 9905624-014.A00G 4GB

модули RAM

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB

G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DDR2 800G 2GB

A-DATA Technology DDR2 800G 2GB

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB

модули RAM

Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB

Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB

Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB

Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB

модули RAM

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB

Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB

модули RAM

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB

Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB

модули RAM

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB

G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB

модули RAM

G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB

G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB

Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB

Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB

модули RAM

Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB

Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB

Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB

Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB

модули RAM

Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB

Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB

модули RAM

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

AMD R748G2133U2S-UO 8GB

AMD R748G2133U2S-UO 8GB

модули RAM

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB

Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB

модули RAM

G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB

G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB

SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB

SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB

модули RAM

AMD R538G1601U2S 8GB

AMD R538G1601U2S 8GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB

модули RAM