G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB против Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB

-->

Средняя оценка

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

Средняя оценка

Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB

Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

Причины выбрать
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

6 13.3

Среднее значение в тестах

Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB

Причины выбрать
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

25 45

Около -80% меньшая задержка
Выше скорость записи

6.3 2,935.8

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 6400

Около 2.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

45 25
Скорость чтения, Гб/сек

6,336.8 13.3
Скорость записи, Гб/сек

2,935.8 6.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 17000

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1144 1617

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB

модули RAM

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB

Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB

G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB

модули RAM

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB

G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB

модули RAM

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB

SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB

Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB

Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB

V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB

Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB

модули RAM

SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB

SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB

Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB

Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB

модули RAM

Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB

Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB

Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB

Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB

модули RAM

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB

Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB

модули RAM

Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB

Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB

Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB

Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB

модули RAM

Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB

Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB

Kingston 9905668-001.A00G 8GB

Kingston 9905668-001.A00G 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DDR2 800G 2GB

A-DATA Technology DDR2 800G 2GB

G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB

G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB

модули RAM