G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB против InnoDisk Corporation 16GB

-->

Средняя оценка

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

Средняя оценка

InnoDisk Corporation 16GB

InnoDisk Corporation 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

Причины выбрать
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

Сообщить об ошибке

InnoDisk Corporation 16GB

Причины выбрать
InnoDisk Corporation 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

38 45

Около -18% меньшая задержка
Выше скорость чтения

7.7 6

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

8.2 2,935.8

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 6400

Около 2.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

InnoDisk Corporation 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

45 38
Скорость чтения, Гб/сек

6,336.8 7.7
Скорость записи, Гб/сек

2,935.8 8.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 17000

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1144 2163

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB

Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB

Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB

модули RAM

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB

модули RAM

Kingston HP698656-154-KEB 4GB

Kingston HP698656-154-KEB 4GB

Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB

Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB

модули RAM

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB

Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB

модули RAM

Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB

Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB

Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB

Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB

модули RAM

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB

модули RAM

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB

Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB

модули RAM

Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB

Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB

Corsair CMD64GX4M4A2400C14 16GB

Corsair CMD64GX4M4A2400C14 16GB

модули RAM

Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB

Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB

модули RAM

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB

Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB

модули RAM

Kingston 9905471-006.A00LF 4GB

Kingston 9905471-006.A00LF 4GB

Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB

Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB

модули RAM

Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB

Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB

модули RAM

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

Crucial Technology C 8GB

Crucial Technology C 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB

A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB

модули RAM