RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Сравнить
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB против Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Средняя оценка
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
6
16.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,935.8
14.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
44
45
Около -2% меньшая задержка
Выше пропускная способность
25600
6400
Около 4 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
44
Скорость чтения, Гб/сек
6,336.8
16.6
Скорость записи, Гб/сек
2,935.8
14.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
25600
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1144
3146
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Сравнения RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
INTENSO 5641160 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Corsair CM2X2048-6400C5DHX 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link