G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB против Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB

-->

Средняя оценка

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

Средняя оценка

Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB

Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

Причины выбрать
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

6 12.7

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

2,935.8 10.2

Среднее значение в тестах

Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB

Причины выбрать
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

42 45

Около -7% меньшая задержка
Выше пропускная способность

17000 6400

Около 2.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

45 42
Скорость чтения, Гб/сек

6,336.8 12.7
Скорость записи, Гб/сек

2,935.8 10.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 17000

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1144 2701

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB

Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB

модули RAM

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB

Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB

модули RAM

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB

G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB

модули RAM

Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB

Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB

Kingston XN205T-MIE 16GB

Kingston XN205T-MIE 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB

SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB

Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB

Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB

модули RAM

Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB

Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB

G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB

G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB

модули RAM

Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB

Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB

Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB

модули RAM

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB

G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB

модули RAM

Kingston 39P5429-006.AO01 2GB

Kingston 39P5429-006.AO01 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N

модули RAM

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

модули RAM

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Kingston 9965600-033.A00G 16GB

Kingston 9965600-033.A00G 16GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB

Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB

модули RAM

Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB

Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB

A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB

A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB

модули RAM