RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Сравнить
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB против Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Средняя оценка
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
45
48
Около 6% меньшая задержка
Выше скорость чтения
6
10.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.1
2,935.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
48
Скорость чтения, Гб/сек
6,336.8
10.8
Скорость записи, Гб/сек
2,935.8
8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1144
2431
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Сравнения RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link