RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Сравнить
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB против Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Средняя оценка
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
6
16.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,935.8
11.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
45
Около -96% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
23
Скорость чтения, Гб/сек
6,336.8
16.4
Скорость записи, Гб/сек
2,935.8
11.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1144
2575
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Сравнения RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link