RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Сравнить
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB против Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Средняя оценка
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
45
74
Около 39% меньшая задержка
Выше скорость чтения
6
13.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
7.7
2,935.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
74
Скорость чтения, Гб/сек
6,336.8
13.6
Скорость записи, Гб/сек
2,935.8
7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1144
1616
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Сравнения RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link