RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Сравнить
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB против Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
28
Около 7% меньшая задержка
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.5
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.7
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
28
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
18.5
Скорость записи, Гб/сек
8.4
15.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2070
3601
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Corsair CM3X8GA1600C11V2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link