G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB против Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB

-->

Средняя оценка

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

Средняя оценка

Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB

Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

Причины выбрать
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

26 27

Около 4% меньшая задержка

Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB

Причины выбрать
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

17.7 13.2

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

15.5 8.4

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 10600

Около 2.01 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

26 27
Скорость чтения, Гб/сек

13.2 17.7
Скорость записи, Гб/сек

8.4 15.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 21300

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2070 3798

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB

V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB

модули RAM

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB

Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB

Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB

модули RAM

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB

Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB

модули RAM

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB

Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB

модули RAM

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB

Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB

модули RAM

Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB

Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB

Kingston 9905700-011.A00G 8GB

Kingston 9905700-011.A00G 8GB

модули RAM

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB

Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB

Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DDR3 1600 4GB

A-DATA Technology DDR3 1600 4GB

Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB

Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB

модули RAM

Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB

Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB

модули RAM

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB

модули RAM

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB

модули RAM

Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB

Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB

Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB

Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB

модули RAM