RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Сравнить
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.4
7.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
26
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.2
13.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
25
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
14.2
Скорость записи, Гб/сек
8.4
7.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2070
2104
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link