RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Сравнить
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
37
Около 30% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.2
9.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.4
7.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
37
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
9.1
Скорость записи, Гб/сек
8.4
7.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2070
2046
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
Kingston 9905403-038.A00G 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link