RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Сравнить
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
28
Около 7% меньшая задержка
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.8
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.4
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
28
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
13.8
Скорость записи, Гб/сек
8.4
10.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2070
2354
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB Сравнения RAM
AMD R748G2133U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Kingston 9905471-074.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link