RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Сравнить
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB против Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
37
Около 30% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.7
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
37
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
14.0
Скорость записи, Гб/сек
8.4
9.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2070
2277
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston HP24D4R7D4MAM-32 32GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link