RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Сравнить
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB против Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Средняя оценка
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
28
Около 7% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.2
12.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
9.3
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
28
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
12.2
Скорость записи, Гб/сек
8.4
9.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2070
2382
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Samsung M378B2873GB0-CH9 1GB
Samsung M378B2873FH0-CH9 1GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Kingston 9905624-014.A00G 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link