RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Сравнить
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB против Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Средняя оценка
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
28
Около 7% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.2
12.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
9.3
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
28
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
12.2
Скорость записи, Гб/сек
8.4
9.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2070
2382
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
PNY Electronics PNY 2GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905734-003.A00G 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link