RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Сравнить
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB против Samsung 9905599-020.A00G 16GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Средняя оценка
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.2
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
26
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
15.6
Скорость записи, Гб/сек
8.4
13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2070
2783
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB Сравнения RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link