RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

Средняя оценка
star star star star star
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Причины выбрать
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Сообщить об ошибке
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    23 left arrow 26
    Около -13% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    17.2 left arrow 13.2
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    13.0 left arrow 8.4
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    19200 left arrow 10600
    Около 1.81 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    26 left arrow 23
  • Скорость чтения, Гб/сек
    13.2 left arrow 17.2
  • Скорость записи, Гб/сек
    8.4 left arrow 13.0
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    10600 left arrow 19200
Other
  • Описание
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2070 left arrow 3004

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Сравнения RAM

A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB Сравнения RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
модули RAM
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
модули RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
модули RAM
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
модули RAM
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
модули RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
модули RAM
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
модули RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
модули RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
модули RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
модули RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
модули RAM
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
модули RAM
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
модули RAM
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
модули RAM