RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Сравнить
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB против Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Средняя оценка
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
86
Около 70% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.4
8.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.3
13.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
86
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
14.3
Скорость записи, Гб/сек
8.4
8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2070
1658
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB Сравнения RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston 9905663-030.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link