RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Сравнить
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB против Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
26
Около -13% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.6
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
18.8
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
23
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
19.6
Скорость записи, Гб/сек
8.4
18.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2070
4095
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-RD 4GB
Kingston X7C75G-HYC 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link