RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Сравнить
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB против Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Средняя оценка
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
73
Около 64% меньшая задержка
Причины выбрать
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.2
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.1
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
73
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
15.2
Скорость записи, Гб/сек
8.4
9.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2070
1843
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
Kingston 99P5471-004.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Elpida EBJ81UG8EFU0-GN-F 8GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link