G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB против Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB

-->

Средняя оценка

G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB

G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB

Средняя оценка

Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB

Причины выбрать
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB

Сообщить об ошибке

Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB

Причины выбрать
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

31 36

Около -16% меньшая задержка
Выше скорость чтения

15.3 14.8

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

10.6 8.7

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 10600

Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

36 31
Скорость чтения, Гб/сек

14.8 15.3
Скорость записи, Гб/сек

8.7 10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 17000

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2481 2659

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB

G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

A-DATA Technology DDR4 3000 8GB

A-DATA Technology DDR4 3000 8GB

модули RAM

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB

SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB

модули RAM

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N

модули RAM

SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB

SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB

Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB

Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB

модули RAM

Kingston 9965433-034.A00LF 4GB

Kingston 9965433-034.A00LF 4GB

Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB

Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB

Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB

модули RAM

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB

Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB

модули RAM

Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB

Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB

модули RAM

Kingston 9905471-001.A01LF 2GB

Kingston 9905471-001.A01LF 2GB

Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB

Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB

модули RAM

Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston KVR533D2N4 512MB

AMD R748G2606U2S 8GB

AMD R748G2606U2S 8GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB

Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB

модули RAM