RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Сравнить
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB против Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Средняя оценка
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
36
Около -20% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17
14.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.9
8.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
36
30
Скорость чтения, Гб/сек
14.8
17.0
Скорость записи, Гб/сек
8.7
12.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2481
3255
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB Сравнения RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F3-19200CL9-4GBZMD 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link