RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Сравнить
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
38
Около 5% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.8
9.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.7
8.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
36
38
Скорость чтения, Гб/сек
14.8
9.4
Скорость записи, Гб/сек
8.7
8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2481
2110
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB Сравнения RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F3-19200CL9-4GBZMD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link