RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Сравнить
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
36
Около -38% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.7
14.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.0
8.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
36
26
Скорость чтения, Гб/сек
14.8
17.7
Скорость записи, Гб/сек
8.7
14.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2481
3017
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB Сравнения RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F3-19200CL9-4GBZMD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB Сравнения RAM
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Corsair CM3X2G1600C9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M391B1G73BH0-CK0 8GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link