RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Сравнить
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB против Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
46
Около 22% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.9
14.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.8
8.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
36
46
Скорость чтения, Гб/сек
14.8
15.9
Скорость записи, Гб/сек
8.7
9.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2481
2632
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB Сравнения RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F3-19200CL9-4GBZMD 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT102464BF1339.M16 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link